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“基于超表面调控的氮化镓基发光器件研究”国家重点研发计划项目启动会在格恩半导体顺利召开

2024/4/11

日前，由中国科学技术大学牵头，安徽格恩半导体有限公司和南京邮电大学作为合作与参研单位共同开展联合攻关的“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项 “基于超表面调控的氮化镓基发光器件研究”项目启动会在安徽格恩半导体有限公司举行。

项目启动仪式由格恩半导体主办，项目负责人孙海定教授主持，中国科学技术大学陈杨教授，南京邮电大学汪金副教授，公司总经理李水清、副总经理张江勇、技术中心总监郑锦坚以及相关项目核心骨干参会。

该项目面向国家新型显示技术领域，以实现基于超表面的氮化镓基发光器件的光场多自由度调控的迫切需求，开展氮化镓基发光器件制备、超表面与氮化镓基发光器件光电耦合物理机制以及一体化集成与动态可调微显示应用等关键技术研究。项目充分结合中科大、南邮、格恩半导体三方在氮化镓基光电器件、超表面研究领域的技术优势与产业化经验，针对关键技术难题组建课题攻关小组，提高材料生长、器件制备、超表面设计和系统集成等方面的技术创新能力，实现攻坚克难与关键核心技术的突破，促进我国激光显示以及新型显示技术水平进入国际先进行列。

国家重点研发计划项目对于格恩半导体来说既是挑战亦是机遇，项目周期紧迫、任务艰巨，对格恩半导体的研发力量与协同能力提出了全新要求。为保证项目稳步推进、高效落地，格恩半导体将以自身的产业优势融合中科大、南邮的科研优势，整合多方资源、汇聚发展合力，精细化推进项目开展，高质量完成国家重点研发计划项目，推动氮化镓基发光器件技术创新，让承担国家级项目成为公司快速发展的重要契机。

该项目的顺利实施，将促进我国相关显示技术早日实现从“跟着研究再创新”的科技创新模式向“引领全球显示”技术发展转变。格恩半导体作为本项目的参与者，亦将凭借项目经验进一步提升氮化镓基光电器件等产品创新能力与技术领先优势，为业界提供更高端的产品和优质的服务，赋能产业创新发展。